浙江杭州电网：应用“缺陷健康码” 2秒情况门清

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随着平面光刻工艺逐渐逼近物理极限，杭州向垂直z方向要空间，采取更为先进的三维（3D）沟道结构已经成为国际公认的技术发展主流。电网图3：堆叠纳米线生长结构表征和尺寸调控统计分析。

应用图1：非晶氮化硅（SiN）/氧化硅（SiO）超晶格侧壁调制生长超高密度均匀堆叠硅纳米线阵列结构。此项研究建立在课题组近期在3D纳米线生长调控的基础之上（见后续列表），缺陷清首次展示了精控纳米生长技术在高均匀性尺寸调控和大规模三维构架制备上的巨大潜力，缺陷清其低温生长技术（350oC）也为实现真正意义上的Monolithic3D前端-后端器件集成带来了全新的技术可能和突破方向。健康工作近期发表于美国化学学会《纳米快报》上：UnprecedentedUniform3DGrowthIntegrationof10-LayerStackedSiNanowiresonTightlyConfinedSidewallGrooves,NanoLetters20(10),10.1021/acs.nanolett.0c02950(2020)。

与至上而下的光刻技术相比，码2秒情至下而上的纳米线沟道生长技术则更为高效、精细且富于变化。况门相关技术成果已经通过与华为公司合作共同提交申请了多项技术专利。

随着堆叠层数增加（以提供更大电流驱动），浙江其制备成本将不断提高，并给保持分立沟道尺寸均匀性带来技术挑战。

近期GlobalFoundry，杭州Samsung和Intel相继推出了新一代全包裹栅（gate-all-around,GAA）纳米线沟道晶体管器件，杭州其中最为关键的垂直堆叠纳米线沟道（verticallystackeddiscretenanowirechannels）需要首先进行多层SiGe/Si叠层外延生长，然后通过极深紫外光刻和选择性Ge层刻蚀等工艺实现。logo设计则采用镶嵌式设计，电网配以隐藏式呼吸灯设计，让整体散发科技光感。

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